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Intel 在日前的法說會上表示，將在明年推出使用 3D 堆疊封裝技術的快閃記憶體，新的封裝技術可使儲存容量加倍。Intel 宣稱可提供比目前已投入市場的 3D NAND Flash 產品，還要高上兩倍的密度，此舉形同是對 Samung 下戰帖。 

快閃記憶體的 3D 堆疊技術，是讓記憶體顆粒的電晶體堆疊從上而下分為多層，Intel 明年將推出的 3D 晶片，與現行 Samsung 固態硬碟使用的 V-NAND Flash 晶片一樣，都可分為 32 層，但 Intel 宣稱他們的產品有兩倍以上的記憶位元（達到 256Gbits），也就是在每一記憶顆粒上可達到 1TB（32GB x 32 層堆疊 = 1TB）容量。

▲ Intel 副總裁 Rob Crook 手上拿的就是 1TB 容量 3D NAND Flash。（資料來源：Tweak Town）

Intel 表示新型 3D NAND Flash 晶片會使用大於 20nm 的製程，另外晶片生產是由 Intel 和 Micron 共同投資的 IMFT（IM Flash Technologies）負責，並在美國猶他州的工廠進行 3D 堆疊封裝。

雖然快閃記憶體儲存裝置比使用磁碟盤的儲存裝置更快、更有效率，但是每單位儲存成本高上太多。Intel 認為若使用新封裝技術，將單一記憶體顆粒的儲存容量翻倍，可以再次壓低快閃記憶體成本，讓固態硬碟之類產品應用更加普及。

Intel 在美國的法人說明會中表示，該公司的 3D 堆疊技術，已能在兩毫米厚的快閃記憶體晶片中塞入 1TB 容量。Intel 副總裁兼非揮發性記憶體解決方案（Non-Volatile Memory Solutions）總經理 Rob Crooke 說：「再過不久，我們就不需要在為硬碟儲存空間能做多大的問題而煩惱」，未來兩年內 Intel 還計畫要在企業級產品線上推出容量超過 10TB 的固態硬碟。

▲除了要推出 1TB 的 NAND Flash 外，也計畫要推出大於 10TB 的固態硬碟。（資料來源：Tweak Town）

Rob Crook 還說：「不久的未來，使用快閃記憶體裝置的儲存空間，最少都可以 TB 的單位來計算，而且成本的控制會越來越漂亮。例如現在很流行的二合一平板電腦，你想要有多大的儲存空間就能有多大。」

Rob Crook 最後也表示，目前所有已售出的電腦系統中，只有 20% 儲存裝置是使用快閃記憶體儲存方案，Intel 計畫要在 2018 年讓快閃記憶體儲存方案，分別在筆記型電腦提升到 50%、伺服器達到 35% 占有率。

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